工作原理：

 

是通過制冷工質（也稱制冷劑、雪種）將熱量從低溫物體（如冷庫等）移向高溫物體（如大氣環(huán)境）的循環(huán)過程，從而將物體冷卻到低于環(huán)境溫度，并維持此低溫，這一過程是利用制冷裝置來實現(xiàn)的。由熱力學第二定律可知，熱量從低溫物體移向高溫物體不可能自動、無補償?shù)剡M行，因此必須提供機械能（或熱能等），以確保包括低溫冷源、高溫熱源、功源（或向循環(huán)供能的源）在內的孤立系統(tǒng)的熵不減小。

 

制冷循環(huán)的重要參數(shù)是制冷系數(shù)，工程上也稱之為制冷裝置的工作性能系數(shù)，用符號COP表示。在一定的環(huán)境溫度下，冷庫溫度越低，制冷系數(shù)就越小。（因此為取得良好的經(jīng)濟效益，沒有必要把冷庫的溫度定得超乎尋常的低。這也是一切實際制冷循環(huán)遵循的原則。）

 

制冷循環(huán)包括壓縮式制冷循環(huán)、吸收式制冷循環(huán)、吸附式制冷循環(huán)、蒸氣噴射制冷循環(huán)及半導體制冷等。壓縮式制冷循環(huán)又可分為壓縮氣體制冷循環(huán)和壓縮蒸氣制冷循環(huán)。世界上運行的制冷裝置絕大部分是壓縮氣體制冷循環(huán)。以往，制冷循環(huán)應用的制冷劑多半為商品名為氟利昂的氯氟烴物質CFC、含氫氯氟烴HCFC和氨等。但由于日益嚴重的環(huán)境問題，CFC、HCFC正逐漸被對環(huán)境友善的新型制冷劑替代。

 

制冷循環(huán)器使用范圍：

 

對半導體制造裝置發(fā)熱部的冷卻：單晶片洗凈轉載、印刷機、自動夾座安裝裝置、噴涂裝置、離子鍍裝置、蝕刻裝置、單晶片處理裝置、切片機、包裝機、顯影劑的溫度管理、露光裝置、生磁部分的加熱裝置等。對激光裝置發(fā)熱部分的冷卻：激光加工、熔接機的發(fā)熱部分、激光標志裝置、發(fā)生裝置、二氧化碳激光加工機等。